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日期:2025-05-17
利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中,決定蝕刻速率的是[HF2-]濃度,若HF濃度保持固定且緩衝溶液 ......
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日期:2025-05-17
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(Shallow Trench Isolation,STI)與鄰近電晶體 ......
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日期:2025-05-11
5-2-1 矽的濕式 蝕刻 在半導體製程中,單晶矽與複晶矽的 蝕刻通常利用硝酸與氫氟酸的混合液來進行。此反應是利用 ......
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日期:2025-05-12
氟化氫(化學式: HF)是氫的氟化物,有強烈的腐蝕性,有劇毒。它是無色的氣體,在空氣中,只要超過3ppm就會產生 ......
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日期:2025-05-13
若在 HF-based etchant中添加HCl可提升同濃度之 HF蝕刻液之 蝕刻速率,並且可避免白色氟化鹽類在晶片表面的沈澱 ......
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日期:2025-05-16
常用蝕刻劑. • 氧化膜(SiO. 2. ):. 氧化膜(. 2. ) – HF. – HF + NH. 4. F. 氮化膜(Si N )
H PO. • 氮化膜(Si. 3. N. 4. ):H. 3. PO....
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日期:2025-05-10
高選擇性 二氧化矽的濕式蝕刻 氫氟酸(HF)溶液 通常稀釋在緩衝液或去離子水以
減緩蝕刻速率 SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O...
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日期:2025-05-15
氫氟酸(HF) 乃是應用於半導體製程、玻璃蝕刻和其它工業製程中。HF的極高腐蝕性
和毒性特質,使得它難以處理,因此需要 ......