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![半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 結合氫氣乾式蝕刻及氣-固-液相成長機制製作矽的奈米線及鍺的奈米結構 ...]()
ssttpro.acesuppliers.com由於半導體奈米線具有特殊之光電特性，可用來探討量子力學對材料性質的影響，同時在積體電路和光學的應用又極具潛力，因此各種不同合成方法不斷地被提出，並引起廣泛的重視。本實驗結合乾式蝕刻及氣-固-液相(vapor-liquid-solid, VLS)成長機制來製作矽 ...瀏覽：661 -
![半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 應用於22nm間隙壁自對準雙圖案製程之DUV檢視和缺陷成因分析 - Semicondutor Magazine]()
ssttpro.acesuppliers.com3>間隙壁自對準雙圖案法（Spacer Self-Aligned Double-Patterning, SADP）提供了一個在雙微影蝕刻（litho-etch-litho-etch）雙圖案微影技術上，減輕依賴 mask1與mask2重疊精準度的解決方案。然而SADP的製程順序帶給缺陷檢測額外的挑戰，因此具有較高的良率 ...瀏覽：315
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日期：2024-04-27
公司簡介 全球據點 品質政策 環安衛政策 專業認證 聯絡我們 化學生技 特殊光學 半導體 Ⅲ-Ⅴ族 LCD/ LED/ SOLAR/ DATA STORAGE 封裝測試 二手機台 一般、石化工業用PUMP 自有產品 3D列印 12吋晶圓再生及買賣 整場移機 /機台搬遷/機台翻新...
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日期：2024-04-29
一般蝕刻可分為濺擊蝕刻(Sputtering Etching)和電漿蝕刻(Plasma Etching)兩種。濺
擊蝕刻是利用電漿所產生的離子，撞擊 ......
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日期：2024-04-23
2003年6月12日 ... 刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介，並藉由電漿能量來驅動反應。 ... 電漿蝕刻的反應
與作用，主要有三個部分：. 1. ... 邊緣接近90 度，缺點是過程當中不能只選取一部分
範圍來進行反應。...
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日期：2024-04-23
濕式蝕刻的缺點. • 等向性的蝕刻輪廓. • 不能處理小於3µm的圖案. • 高度化學物之
使用. 12. 電漿蝕刻流程. 吸附. 擴散至表面....
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日期：2024-04-26
選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. Major Concern: Rate ... 在
處理圖案化蝕刻時，電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓 ...
濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻輪廓. ▫....
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日期：2024-04-26
乾式蝕刻是以電漿，而非濕式的溶液，來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的
優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性 ......
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日期：2024-04-29
圖2-5 電子迴旋共振式離子反應電漿蝕刻機結構示意圖………....20 .... 電漿技術. 並
討論本論文所使用之蝕刻技術之優缺點。...
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